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Example:10.1021/acsami.1c06204 or Chem. Rev., 2007, 107, 2411-2502
二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能。 Preparation and Properties of Resistive Random Access Memory Based on Tin Disulfide Nanosheets
无机化学学报  (IF),  Pub Date : 2021-11-10, DOI: 10.11862/cjic.2021.235
赵婷,坚佳莹,董_凡,冯浩,南亚新,常芳娥

采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片,并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器(Cu/PMMA/SnS2/Ag,PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯),对其阻变性能进行了研究。结果表明:Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105,耐受性2.7×103。在上述2项性能指标达到较优水平的同时,开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。