二硫化锡纳米片阻变存储器的制备与性能。 Preparation and Properties of Resistive Random Access Memory Based on Tin Disulfide Nanosheets
无机化学学报 (IF), Pub Date : 2021-11-10, DOI: 10.11862/cjic.2021.235
赵婷,坚佳莹,董_凡,冯浩,南亚新,常芳娥
采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片，并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器（Cu/PMMA/SnS2/Ag，PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯），对其阻变性能进行了研究。结果表明：Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105，耐受性2.7×103。在上述2项性能指标达到较优水平的同时，开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。
无机化学学报 (IF), Pub Date : 2021-11-10, DOI: 10.11862/cjic.2021.235
赵婷,坚佳莹,董_凡,冯浩,南亚新,常芳娥
采用水热法合成了尺寸为50~100 nm的二硫化锡纳米片，并首次以二硫化锡作为阻变层材料的阻变存储器（Cu/PMMA/SnS2/Ag，PMMA=聚甲基丙烯酸甲酯），对其阻变性能进行了研究。结果表明：Cu/PMMA/SnS2/Ag阻变存储器的开关比约105，耐受性2.7×103。在上述2项性能指标达到较优水平的同时，开态与关态电压分别仅约为0.28与-0.19 V。
